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11.
Sodium-ion hybrid capacitors are a prospective energy storage device candidate that couples the superiorities of battery-type and capacitive storage mechanisms. In this study, we fabricate a composite of NiCo2O4 nanowires with carbon tubular bundles (CTBs) via a facile hydrothermal and annealing procedure. The density functional theory (DFT) calculations are performed to evaluate the bonding strength between the two components of the composite, the binding energy of the NiCo2O4 is calculated to be −0.952 J m−2, indicating that the NiCo2O4 nanowires can be stabilized on both sides of the carbon tubular bundles, which leads to a good cycling performance. Moreover, the composite in this work exhibits a metallic property because of the introduction of carbon material. As expected, when used for sodium storage, the NiCo2O4/CTBs shows a high capacity of 298 mA h g−1 at 1 A g−1 and high capacity retention of 92% after 500 cycles, which are superior than the bare NiCo2O4 electrode. Consequently, the sodium-ion hybrid capacitor is also assembled with NiCo2O4/carbon tubular bundles and commercial activated carbon, which achieves high energy density of 99 Wh kg−1 in a wide potential range from 0.5 V to 4.0 V.  相似文献   
12.
非隔离并网逆变器存在向电网注入直流电流的风险。而现有针对该问题的虚拟电容法的控制器参数选择未兼顾进网电流控制器的稳态和动态性能。为此,提出一种比例谐振和虚拟电容(PR+C)控制器参数优化方法。首先,通过控制系统传递函数分析了虚拟电容和PR控制器之间的相互影响,并由幅值和相位裕度约束系统稳定性,初步给出参数选择范围。其次,定义了表征基波电流跟踪性能和直流抑制效果的3个指标,通过客观赋权法得到目标函数后在选择范围内进行优化参数求解。最后,通过样机实验对比不同控制参数下的控制性能,验证了优化参数的有效性。最终结果表明,所提参数优化过程简单明了,能够客观地权衡直流分量抑制效果和进网电流跟踪能力。  相似文献   
13.
对采用均匀沉淀法制备陶瓷电容器级(平均粒径为0.1-0.2μm的超细粉末)Nb2O5粉末的最佳工艺条件进行了探讨,研究了均匀沉淀过程中,反应温度、沉淀终点pH值、反应物浓度、脱水剂和添加剂以及焙烧温度对Nb(OH)5粉体粒度分布及粒径的影响。利用TG-DTA、SEM、XRD、比表面积测试仪(BET)和CILAS粒度测试仪进行了测定,结果表明:当H2NbOF5浓度在0.2~0.4M时,以NH3·H2O作沉淀剂,用乙醇、丙酮等作脱水剂,所获沉淀在80~100℃干燥后,制备的Nb(OH)5粉体粒度均匀且分布窄,其平均粒径为0.07 μm,经700℃焙烧后,可制得粒度分布窄、团聚少、比表面积为14.44 m2/g、平均粒径为0.1 μm,且纯度>99.95%的陶瓷电容器级Nb2O5微粉体。该方法具有设备简单、工艺流程短、污染小,产品纯度高等特点。  相似文献   
14.
本文介绍一种高压电网功率因数自动补偿装置,包括组成结构、工作原理及其8031单片机程序设计。  相似文献   
15.
张剑云  李建  郭亚炜  沈泊  张卫 《半导体学报》2005,26(9):1808-1812
提出了一种新的MOS器件栅增压电路,它在减小MOS开关导通电阻的同时,减少了衬偏效应以及MOS开关输出信号的失真. 该电路采用了0.13μm 1.2V/2.5V CMOS工艺,HSPICE的仿真结果表明该栅增压电路适用于高速低电压开关电容电路.  相似文献   
16.
Ce掺杂的TiO_2电容-压敏材料结构和电性能研究   总被引:3,自引:1,他引:3  
通过对样品压敏性能、介电性能的测定和晶体结构、表面形貌分析,研究了CeO2对TiO2电容-压敏电阻器的影响。研究发现CeO2对TiO2电容-压敏电阻的性能有显著的影响。在1350℃烧结条件下,0.4%摩尔分数CeO2的样品表现出优良的综合电性能,其压敏电压为15.84V/mm,非线性系数α为4.62,并具有很高的表观介电常数(εr=158600),较低的介电损耗(tgδ=0.32),是一种较有潜力的新型电容-压敏电阻器。  相似文献   
17.
为实现对感应等离子技术制备电容器级钽粉粒度、形貌的控制,进行改变等离子工艺参数的粉体制备工艺试验,研究冷却气体流量、送入粉体的进口位置、等离子气氛对粉体粒度及其形貌的影响。结果表明,感应等离子工艺参数的变化可以显著改变制备粉体的性能。制备的钽粉全部为球形,感应等离子技术可以完成纳米级电容器钽粉的制备。  相似文献   
18.
GaAs MMIC用无源元件的模型   总被引:5,自引:3,他引:2  
制作了不同结构参数的GaAs MMIC无源元件,包括矩形螺旋电感、MIM电容和薄膜电阻,建立了无源元件的等效电路模型库,采用多项式公式表征无源元件的模型参数和性能参数,便于电路设计的应用.并提取得到MIM电容的单位面积电容值,约为195pF/mm2,NiCr薄膜电阻的方块电阻约为16.1Ω/□.分析结构参数对螺旋电感性能的影响可知,减小线圈面积相关的寄生损耗有助于获得高品质的电感.  相似文献   
19.
随着电压等级的不断提高,高压断路器串联的断口数相应增多,各断口的电压不均匀程度增大。为均匀各断口间的电压分布,通常在断口间并联均压电容器。油纸电容器以其重量轻,可靠性高等优点越来越多地应用到高压断路器中。文中采用有限元分析方法,分析了影响均压电容器表面电场强度分布的几个因素,包括均压电容器与屏蔽罩间的距离、屏蔽均压电容器端部的两屏蔽罩间距离及均压电容器两侧深入屏蔽罩的均匀度。并得出如下结论:在满足屏蔽罩对地绝缘的条件下,均压电容器与屏蔽罩间的距离越大越好;在既满足主断口绝缘性能又满足电容器绝缘性能的前提下,屏蔽均压电容器端部的两屏蔽罩间距离越大越好;在保证断口绝缘性能的前提下,均压电容器两侧深入屏蔽罩的距离越均匀越好。研究结果为新产品结构设计及工程设计提供了一定的理论指导和依据。  相似文献   
20.
针对模块化多电平变换器(MMC)存在的电容电压在不同工况下易出现波动的问题,设计了一种基于环流注入的MMC电容电压平衡控制策略,其中环流参考是基于桥臂电流瞬时值和对应调制信号获得的。相对于传统环流注入方案,新方案不需要确定输出电流的幅值和相位,具有一定的优势。此外,电容电压平衡控制方案中还设计了能够跟踪环流参考的闭环控制器。最后,搭建了5 kV·A级MMC样机开展了相关试验,试验结果验证了新型电容电压控制器的效果。  相似文献   
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